Авторы предлагают заменить МОП-структуру, используемую в полупроводниках флэш-памяти, на кластеры полиоксометаллатов. В своей работе ученые уже добились ее успешного встраивания в память. Сама МОП-структура используется при производстве различных полупроводниковых приборов.
По словам исследователей, управление свойствами проводимости МОП-структуры осуществляется при помощи подачи напряжения на ее электрод или затвор. Идея ученых заключается в том, что они модифицировали оксидный слой МОП-структуры, добавив в него наноразмерные полиоксометаллаты.
Полиоксометаллаты представляют собой группу металлооксидных соединений кластерного типа с богатой геометрией, нередко выступающих в роли катализаторов благодаря их низкой чувствительности к присутствию окислителей. Ранее предложенные учеными добавки в МОП-структуру приводили к низкой электропроводности и нагреванию образца. Новые окислительные возможности в МОП-структуре и позволили увеличить объемы хранимой информации.
Ученые обнаружили молекулы, способные увеличить емкость флеш-накопителя
22 ноября 2014 / просмотров – 1485
Хай-тек
Группа специалистов из Великобритании и Испании предложили новые устройства для хранения памяти. В их основе лежат кластеры наноразмерных полиоксометаллатов, использование которых позволит существенно увеличить емкость обычной флэш-памяти. К тому же это приведет к сокращению физических размеров носителей информации.
Если вам понравилась статья
102
102
